Физико-химические основы микро- и наноэлектроники....

Main
Физико-химические основы микро- и...

Физико-химические основы микро- и наноэлектроники. Лабораторный практикум : пособие

Достанко, А. П.

0 / 0

Quanto Você gostou deste livro?

Qual é a qualidade do ficheiro descarregado?

Descarregue o livro para avaliar a sua qualidade

De que qualidade são os ficheiros descarregados?

Editora:

БГУИР

Idioma:

russian

Páginas:

63

ISBN 10:

9855431561

ISBN 13:

9789855431566

Arquivo:

PDF, 2.14 MB

IPFS:

,

russian0

Ler online

A converter para

Conversão para falhou

Você pode estar interessado em

Майссел Л., Глэнг Р. — Технология тонких пленок (справочник)

Семенов — Распыление керамик и керамических композитов потоками ионов низких энергий

Поут Дж., Ту К., Мейер Дж.(Poate J.M., Tu K.N., Mayer J.W.) — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Дорохин М. В., Здоровейщев А. В. — Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика: Электронное учебно-методическое пособие

Дорохин М. В., Здоровейщев А. В. — Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика: Электронное учебно-методическое пособие

Майссел Леон, Под редакцией Л.Майссела, Р.Глэнга. Перевод с английского Под редакцией М.И.Елинсона, Г.Г.Смолко. — Технология тонких пленок. Справочник

Романовский Е.А., Коваль А.Г., Мельничук И.А., Борисов А.Г., Бажин А.И., Рыжов В.Н., Дробнич В.Г., Медведев С.Ю., Поп С.С., Есаулов В.А., Петухов В.П., Мирахмедов М.Н., Шароди И.С., Бандурин Ю.А., Белых Л.С., Дащенко А.И., Грицына В.В. И др. — Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XII международной конференции 5-8 октября 1995 г. Том 2

Поут Дж. и др. — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Гасанов И.С. — Плазменная и пучковая технология

Кузнецов Г.Д., Кушхов А.Р. — Ионно-плазменная обработка металлов. Курс лекций.

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Плешивцев Н.В. — Катодное распыление

Березин В.М. — Методы формирования тонкоплёночных структур

Пранявичюс Л., Дудонис Ю. — Модификация свойств твёрдых тел ионными пучками

Удовиченко С.Ю. — Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро - и наноэлектроники. Часть1-я

Удовиченко С.Ю. — Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро - и наноэлектроники. Часть 3-я

Бобыль А.В., Карманенко С.Ф. — Физико-химические основы технологии полупроводников

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Билалов Б.А. (сост.) — Технология материалов электронной техники: ионные процессы

Бондаренко Г.Г. и др. — Оксидные пленки на поверхности металла: современное состояние исследований и проблемы практического использованияы

Мамедов Р.К. — Контакты Металл-Полупроводник с Электрическим Полем Пятен

Колесник В.П., Колесник В.В. — Технологические генераторы плазмы

Григорьев Ф.И. — Осаждение тонких пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков в технологии микроэлектроники

Петухов В.Ю., Гумаров Г.Г. — Ионно-лучевые методы получения тонких пленок

Достанко А.П. и др. — Технологические процессы и системы в микроэлектронике: плазменные, электронно-ионно-лучевые, ультразвуковые

Достанко А.П. и др. — Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро - и наноэлектроники

Орликов Л. Н. — Исследование процесса ионной обработки материалов

Орликов Л. Н. — Физические основы нанотехнологий фотоники и оптоинформатики

Орликов Л. Н. — Исследование процесса ионной обработки материалов

Орликов Л. Н. — Исследование процесса нанесения пленок магнетронным способом

Волков А. В. — Исследование технологических режимов плазменного ионно-химического травления на установке "Caroline PE15" [Электронный ресурс] : электрон. учеб.-метод. пособие

Габович М.Д., Плешивцев Н.В., Семашко Н.Н. — Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей

В.Е.Минайчев, В.В.Одиноков, Г.П.Тюфаева. — Магнетронные распылительные устройства (магратроны). Обзор по данным отечественной и зарубежной печати за 1973-1979 гг

Патракеев А.С. — Угловые распределения атомов при распылении одно и двухкомпонентных материалов(Автореферат)

Frases chave

окисления

распыления

поверхности

электронов

напряжения

зависимость

контакта

процесса

полупроводник

полупроводника

коэффициент

зависимости

напряжение

термического

электроны

распыление

давления

скорость

температуры

величины

значения

определяется

величина

ионизации

подложки

результате